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IRGSL14C40LPBF备选型号: HGT1S2N120CN
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- JESD-609代码
- 零件状态
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- Td（开/关）@25°C
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- IGBT类型
- 集极脉冲电流（Icm）
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IGBT 430V 20A 125W TO262AA13 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON430V1.4V-40°C~175°C TJTube2004e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低饱和电压430V125W26020A30Single125WLogic汽车点火装置2.8μsN-CHANNEL1.75V20A3700 ns1.75V @ 5V, 14A27nC900ns/6μs12V2.2V9.652mm10.668mm4.826mm无符合RoHS标准无铅----
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262 Rail-通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA--1.2kV2.05V-55°C~150°C TJTube--Obsolete1 (Unlimited)----1.2kV104W-13A-Single104WStandard---1.2kV13A-2.4V @ 15V, 2.6A30nC25ns/205ns------符合RoHS标准无铅1200VNPT20A96μJ (on), 355μJ (off)- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGI3040G2-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans IGBT Chip N-CH 430V 41A 3-Pin TO-262AA Rail | 对比 |
| ISL9V5036S3 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Sgl N-Ch 360V | 对比 |
| HGT1S20N36G3VL | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA | 对比 |
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