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IRL1004LPBF备选型号: IRL1404LPBF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
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- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA通孔通孔3TO-262130A Tc2004HEXFET®Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)175°C-55°C40V130A150W16 nsN-Channel6.5mOhm @ 78A, 10V1V @ 250μA5330pF @ 25V100nC @ 4.5V210ns40V±16V130A16V40V5.33nF9mOhm6.5 mΩ10.54mm符合RoHS标准无铅------------- MOSFET N-CH 40V 160A TO-262TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA通孔通孔3-160A Tc2004HEXFET®Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)--40V160A3.8W-N-Channel4m Ω @ 95A, 10V3V @ 250μA6600pF @ 25V140nC @ 5V270ns-±20V160A20V40V----符合RoHS标准无铅SILICON3EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCESINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.004Ohm640A520 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL7833LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 30V 150A TO-262 | 对比 |
| IRL1404LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 160A TO-262 | 对比 |
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