Infineon Technologies IRL1004LPBF
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IRL1004LPBF
1211-IRL1004LPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
1最小包装量--
IRL1004LPBF详情
Infineon Technologies IRL1004LPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-262
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Turn Off Delay Time
25 ns
Power Dissipation (Max)
3.8W Ta 200W Tc
Number of Elements
1
已出版
2004
系列
HEXFET®
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
40V
额定电流
130A
功率耗散
150W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5mOhm @ 78A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5330pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 4.5V
上升时间
210ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±16V
连续放电电流(ID)
130A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
40V
输入电容
5.33nF
漏源电阻
9mOhm
最大rds
6.5 mΩ
高度
10.54mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL1004LPBF拓展信息
Infineon Technologies
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