我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IRL3103STRLPBF备选型号: NTB75N03RG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- HTS代码
- 引脚数量
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON64A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR9912MOhm雪崩 额定30V鸥翼26064A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN8.9 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 34A, 10V1V @ 250μA1650pF @ 25V33nC @ 4.5V120ns±16V9.1 ns64A16V30V220A4.826mm10.668mm9.65mm无ROHS3 Compliant含铅-------
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON9.7A Ta 75A Tc-55°C~150°C TJTube-2006e3Obsolete1 (Unlimited)2---25V鸥翼26075A未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET74.4WDRAIN-N-ChannelSWITCHING8m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1333pF @ 20V13.2nC @ 10V-±20V-75A20V25V225A----符合RoHS标准无铅Tin (Sn)8541.29.00.953不合格9.7A0.013Ohm71.7 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB4302T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | 对比 |
 | STB70NF3LLT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp | 对比 |
| NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。