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首页 全部分类 IRL3713STRLPBF vs FDB8870

IRL3713STRLPBF备选型号: FDB8870

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRL3713STRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
    14 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    2.5V @ 250μA
    40 ns
    2003
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    3MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 38A, 10V
    5890pF @ 15V
    110nC @ 4.5V
    160ns
    ±20V
    57 ns
    260A
    2.5V
    20V
    75A
    30V
    30V
    2.5 V
    9.65mm
    10.668mm
    4.826mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB8870
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    10 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    2.5V @ 250μA
    23A Ta 160A Tc
    -
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.9m Ω @ 35A, 10V
    5200pF @ 15V
    132nC @ 10V
    98ns
    ±20V
    47 ns
    35A
    -
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    无铅
    1.31247g
    yes
    30V
    160A
    Single
    0.0044Ohm
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