IRL3714ZSTRL备选型号: AUIRF1324S
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 终止次数
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB36A TcCut Tape (CT)HEXFET®2003Obsolete1 (Unlimited)EAR99175°C-55°C20V35W36AN-Channel16m Ω @ 15A, 10V2.55V @ 250μA550pF @ 10V7.2nC @ 4.5V13ns36ANon-RoHS Compliant含铅----------------------------
- MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB195A TcTubeHEXFET®2010Discontinued1 (Unlimited)EAR99-----N-Channel1.65m Ω @ 195A, 10V4V @ 250μA7590pF @ 24V240nC @ 10V190ns195AROHS3 Compliant-39 WeeksTin3SILICON-55°C~175°C TJe32ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300W17 nsSWITCHING±20V120 ns2V20V24V270 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB6021P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB | 对比 |
![]() | AUIRF1324S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK | 对比 |




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