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IRL3714ZSTRL备选型号: FDB6021P
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- ECCN 代码
- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB36A TcCut Tape (CT)HEXFET®2003Obsolete1 (Unlimited)EAR99175°C-55°C20V35W36AN-Channel16m Ω @ 15A, 10V2.55V @ 250μA550pF @ 10V7.2nC @ 4.5V13ns36ANon-RoHS Compliant含铅-------------
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB28A TaTape & Reel (TR)PowerTrench®2004Obsolete1 (Unlimited)-175°C-65°C-20V--28AP-Channel30mOhm @ 14A, 4.5V1.5V @ 250μA1890pF @ 10V28nC @ 4.5V10ns-28A符合RoHS标准无铅3TO-263AB-65°C~175°C TJSingle37W20V±8V50 ns8V-20V1.89nF30mOhm30 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB6021P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB | 对比 |
| AUIRF1324S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK | 对比 |
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