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IRL3714ZSTRL备选型号: IRF3704ZSPBF
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- 最大功率耗散
- 额定电流
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB36A TcCut Tape (CT)HEXFET®2003Obsolete1 (Unlimited)EAR99175°C-55°C20V35W36AN-Channel16m Ω @ 15A, 10V2.55V @ 250μA550pF @ 10V7.2nC @ 4.5V13ns36ANon-RoHS Compliant含铅------------------------------- MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB67A TcTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)EAR99--20V-67AN-Channel7.9m Ω @ 21A, 10V2.55V @ 250μA1220pF @ 10V13nC @ 4.5V38ns67A符合RoHS标准无铅3SILICON-55°C~175°C TJe327.9MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET57WDRAIN8.9 nsSWITCHING±20V4.2 ns20V42A20V260A17 ns2.1 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB6021P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB | 对比 |
| AUIRF1324S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK | 对比 |
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