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首页 全部分类 IRL40B209 vs IRFB7434PBF

IRL40B209备选型号: IRFB7434PBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRL40B209
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 195A
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    56 ns
    N-Channel
    1.25m Ω @ 100A, 10V
    2.4V @ 250μA
    15140pF @ 25V
    270nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    195A
    2.4V
    20V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB7434PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 324 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    24 ns
    N-Channel
    1.6m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    10820pF @ 25V
    324nC @ 10V
    -
    ±20V
    195A
    3V
    20V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    3
    1.6MOhm
    增强型MOSFET
    294W
    DRAIN
    SWITCHING
    68ns
    TO-220AB
    40V
    490 mJ
    38 ns
    3 V
    无
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