IRL6342TRPBF备选型号: STS11N3LLH5

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 系列
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    14.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.6m Ω @ 9.9A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1025pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    12ns
    ±12V
    14 ns
    9.9A
    1.1V
    12V
    30V
    79A
    1.1 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 30 V 0.012 11A STripFET2
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    -
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    13.2mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    2.7W
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 5.5A, 10V
    1V @ 250μA
    724pF @ 25V
    5nC @ 4.5V
    4.2ns
    +22V, -20V
    3.5 ns
    11A
    1V
    22V
    30V
    44A
    1 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    260
    30
    STS11
    8
    Single
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