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IRL6342TRPBF备选型号: IRL6372PBF

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  • 栅源电压
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  • 无铅
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRL6342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    14.6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.6m Ω @ 9.9A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1025pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    12ns
    ±12V
    14 ns
    9.9A
    1.1V
    12V
    30V
    79A
    1.1 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL6372PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    17.9MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    2W
    5.9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1020pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    13ns
    -
    15 ns
    8.1A
    1.1V
    12V
    30V
    65A
    1.1 V
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2W
    260
    30
    IRL6372PBF
    不合格
    Dual
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    20 ns
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
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