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IRL7833STRLPBF备选型号: FDB8870
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON150A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)2EAR993.8MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET140WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING3.8m Ω @ 38A, 10V2.3V @ 250μA4170pF @ 15V47nC @ 4.5V50ns±20V6.9 ns150A20V75A30V600A4.826mm10.668mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅------
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON23A Ta 160A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e3活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)鸥翼--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET160WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA5200pF @ 15V132nC @ 10V98ns±20V47 ns35A20V-30V----无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1.31247gyes30V160A0.0044Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB8870-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH | 对比 |
| IRL7833SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 对比 |
 | STB155N3LH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
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