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IRL7833STRLPBF备选型号: STB155N3LH6
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 附加功能
- 基本部件号
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK12 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON2.3V @ 250μA21 ns2004HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2EAR993.8MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET140WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING3.8m Ω @ 38A, 10V4170pF @ 15V47nC @ 4.5V50ns±20V6.9 ns150A20V75A30V600A9.65mm10.668mm4.826mmROHS3 Compliant无无铅------
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK20 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON2.5V @ 250μA1-DeepGATE™, STripFET™ VICut Tape (CT)-55°C~175°C TJe3ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)2EAR993MOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 40A, 10V3800pF @ 25V80nC @ 5V85ns±20V40 ns80A20V-30V-10.4mm10.75mm4.6mmROHS3 Compliant无无铅ULTRA-LOW RESISTANCESTB155N1VTO-252525 mJ无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8870-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH | 对比 |
| IRL7833SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 对比 |
| STB155N3LH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
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