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首页 全部分类 IRLB3036PBF vs IRFB3206PBF

IRLB3036PBF备选型号: IRFB3206PBF

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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 箱体转运
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLB3036PBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 270 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRLB3036PBF
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.4MOhm
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    380W
    66 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 165A, 10V
    2.5V @ 250μA
    11210pF @ 50V
    140nC @ 4.5V
    220ns
    ±16V
    195A
    2.5V
    TO-220AB
    16V
    270A
    60V
    290 mJ
    9.02mm
    10.5156mm
    4.699mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB3206PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3MOhm
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6540pF @ 50V
    170nC @ 10V
    82ns
    ±20V
    210A
    4V
    TO-220AB
    20V
    -
    60V
    -
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    e3
    60V
    210A
    1
    DRAIN
    83 ns
    840A
    50 ns
    175°C
    无
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