Infineon Technologies IRLB3036PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

380W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.4MOhm

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

380W

接通延迟时间

66 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 165A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11210pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140nC @ 4.5V

上升时间

220ns

Vgs（最大值）

±16V

连续放电电流(ID)

195A

阈值电压

2.5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

270A

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

高度

9.02mm

长度

10.5156mm

宽度

4.699mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅