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IRLH5030TR2PBF备选型号: BSC070N10NS3GATMA1
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- 功率耗散
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
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- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- Vgs（最大值）
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8PQFN (5x6) Single Die13A Ta 100A TcCut Tape (CT)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C3.6W250W21 nsN-Channel9mOhm @ 50A, 10V2.5V @ 150μA5185pF @ 50V94nC @ 10V72ns100V41 ns100A2.5V16V100V5.185nF48 ns9.9mOhm9 mΩ2.5 V990.6μm6.1468mm5.15mm无SVHC无符合RoHS标准--------------------------
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-90A TcTape & Reel (TR)OptiMOS™2011活跃1 (Unlimited)---114W-N-Channel7m Ω @ 50A, 10V3.5V @ 75μA4000pF @ 50V55nC @ 10V10ns--90A2.7V20V---------无SVHC-ROHS3 Compliant26 WeeksTinSILICON-55°C~150°C TJe3no5EAR99DUALFLAT未说明not_compliant未说明8R-PDSO-F5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素±20V100V0.007Ohm360A含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
 | FDB088N08 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB088N08 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
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