您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRLH5030TR2PBF vs FDB088N08

IRLH5030TR2PBF备选型号: FDB088N08

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRLH5030TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    PQFN (5x6) Single Die
    13A Ta 100A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    250W
    21 ns
    N-Channel
    9mOhm @ 50A, 10V
    2.5V @ 150μA
    5185pF @ 50V
    94nC @ 10V
    72ns
    100V
    41 ns
    100A
    2.5V
    16V
    100V
    5.185nF
    48 ns
    9.9mOhm
    9 mΩ
    2.5 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB088N08
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB088N08 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    120A Tc
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    160W
    45 ns
    N-Channel
    8.8m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    6595pF @ 25V
    118nC @ 10V
    158ns
    -
    102 ns
    120A
    2V
    20V
    75V
    -
    -
    -
    -
    -
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    1.31247g
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    85A
    0.0088Ohm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP 对比
FDB088N08 FDB088N08 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB088N08 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2 V 对比