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IRLH5034TRPBF备选型号: IRFS7440PBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端形式
- 元素配置
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON29A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010e3活跃1 (Unlimited)5EAR993.2MOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL26030R-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET156WDRAIN21 nsN-ChannelSWITCHING2.4m Ω @ 50A, 10V2.5V @ 150μA4730pF @ 25V82nC @ 10V54ns±16V21 ns100A16V29A40V400A360 mJ990.6μm6.1468mm5.15mm无ROHS3 Compliant无铅-------
Transistor MOSFET N-ch 40V 120A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2007-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99------R-PSSO-G2-增强型MOSFET208WDRAIN24 nsN-ChannelSWITCHING2.5m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 100μA4730pF @ 25V135nC @ 10V68ns±20V68 ns120A20V208A40V772A-4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅鸥翼Single3V0.0025Ohm24 ns3 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS8405 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | INFINEON AUIRFS8405 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 40V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS7440PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Transistor MOSFET N-ch 40V 120A D2PAK | 对比 |
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