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首页 全部分类 IRLHS6342TRPBF vs IPB147N03LGATMA1

IRLHS6342TRPBF备选型号: IPB147N03LGATMA1

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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • Infineon Technologies
    IRLHS6342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.7A 2X2 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    8.7A Ta 19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    4.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1019pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    13ns
    ±12V
    13 ns
    8.7A
    12V
    30V
    1.1 V
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB147N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    SINGLE
    -
    增强型MOSFET
    31W
    DRAIN
    3.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.7m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1000pF @ 15V
    10nC @ 10V
    2.4ns
    ±20V
    2 ns
    20A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    no
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    30V
    20 mJ
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IPB147N03LGATMA1 IPB147N03LGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比