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首页 全部分类 IRLHS6376TR2PBF vs IRFHM9331TR2PBF

IRLHS6376TR2PBF备选型号: IRFHM9331TR2PBF

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  • 输入电容
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  • 场效应管特性
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRLHS6376TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    6-PQFN (2x2)
    3.6A
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    63MOhm
    150°C
    -55°C
    1.5W
    IRLHS6376
    Dual
    6.6W
    4.4 ns
    1.5W
    2 N-Channel (Dual)
    63mOhm @ 3.4A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    270pF @ 25V
    2.8nC @ 4.5V
    11ns
    30V
    9.4 ns
    3.6A
    800mV
    12V
    30V
    270pF
    12 ns
    逻辑电平门
    63mOhm
    63 mΩ
    800 mV
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
  • Infineon Technologies
    IRFHM9331TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (3x3)
    11A Ta 24A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    150°C
    -55°C
    2.8W
    -
    Single
    2.8W
    11 ns
    -
    P-Channel
    10mOhm @ 11A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1543pF @ 25V
    48nC @ 10V
    27ns
    30V
    60 ns
    -11A
    -1.8V
    25V
    -30V
    1.543nF
    96 ns
    -
    14.6mOhm
    10 mΩ
    -1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
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