Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

引脚数

6

供应商器件包装

6-PQFN (2x2)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A

Turn Off Delay Time

11 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

63MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1.5W

基本部件号

IRLHS6376

元素配置

Dual

功率耗散

6.6W

接通延迟时间

4.4 ns

功率 - 最大

1.5W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8nC @ 4.5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

9.4 ns

连续放电电流(ID)

3.6A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

输入电容

270pF

恢复时间

12 ns

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

63mOhm

最大rds

63 mΩ

栅源电压

800 mV

高度

950μm

长度

2.1mm

宽度

2.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅