IRLHS6376TR2PBF备选型号: IRFHM9331TRPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad66-PQFN (2x2)3.6ACut Tape (CT)HEXFET®2009Obsolete1 (Unlimited)63MOhm150°C-55°C1.5WIRLHS6376Dual6.6W4.4 ns1.5W2 N-Channel (Dual)63mOhm @ 3.4A, 4.5V1.1V @ 10μA270pF @ 25V2.8nC @ 4.5V11ns30V9.4 ns3.6A800mV12V30V270pF12 ns逻辑电平门63mOhm63 mΩ800 mV950μm2.1mm2.1mm无SVHC无符合RoHS标准无铅------------------
- MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-11A Ta 24A TcTape & Reel (TR)HEXFET®2009活跃1 (Unlimited)14.6MOhm----Single2.8W11 ns-P-Channel10m Ω @ 11A, 20V2.4V @ 25μA1543pF @ 25V48nC @ 10V27ns30V60 ns-11A-1.8V25V-30V------1mm2.9972mm2.9972mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICON-55°C~150°C TJe35EAR99Matte Tin (Sn)DUALS-PDSO-N51增强型MOSFETDRAINSWITCHING±25V24A90A76 mJ150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | IRFHM9331TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN | 对比 |




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