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首页 全部分类 IRLI530NPBF vs FQPF19N10

IRLI530NPBF备选型号: FQPF19N10

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 恢复时间
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRLI530NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
    14 Weeks
    Tin
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    12A Tc
    2004
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    120mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    100V
    11A
    Single
    增强型MOSFET
    33W
    ISOLATED
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 9A, 10V
    2V @ 250μA
    800pF @ 25V
    34nC @ 5V
    53ns
    ±16V
    26 ns
    12A
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    60A
    100V
    210 ns
    2kV
    2 V
    16.12mm
    4.826mm
    10.6172mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF19N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
    4 Weeks
    -
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    13.6A Tc
    2013
    QFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    100V
    19A
    Single
    增强型MOSFET
    38W
    ISOLATED
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 6.8A, 10V
    4V @ 250μA
    780pF @ 25V
    25nC @ 10V
    150ns
    ±25V
    65 ns
    13.6A
    -
    -
    25V
    100V
    54.4A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2.27g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    220 mJ
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