IRLI530NPBF备选型号: FQPF22P10

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  • 电压 - 额定直流
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
    14 Weeks
    Tin
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    12A Tc
    2004
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    120mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    100V
    11A
    Single
    增强型MOSFET
    33W
    ISOLATED
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 9A, 10V
    2V @ 250μA
    800pF @ 25V
    34nC @ 5V
    53ns
    ±16V
    26 ns
    12A
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    60A
    100V
    210 ns
    2kV
    2 V
    16.12mm
    4.826mm
    10.6172mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F
    4 Weeks
    -
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    13.2A Tc
    2002
    QFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -100V
    -13.2A
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    ISOLATED
    4.8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    50nC @ 10V
    170ns
    ±30V
    110 ns
    13.2A
    -
    TO-220AB
    30V
    -100V
    52.8A
    -
    -
    -
    -
    16.07mm
    4.9mm
    10.36mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    2.27g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    260
    100V
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