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IRLI530NPBF备选型号: IRFI530NPBF

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  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRLI530NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
    14 Weeks
    Tin
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    12A Tc
    2004
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    120mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    100V
    11A
    Single
    增强型MOSFET
    33W
    ISOLATED
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 9A, 10V
    2V @ 250μA
    800pF @ 25V
    34nC @ 5V
    53ns
    ±16V
    26 ns
    12A
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    60A
    100V
    210 ns
    2kV
    2 V
    16.12mm
    4.826mm
    10.6172mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
  • Infineon Technologies
    IRFI530NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
    12 Weeks
    -
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    12A Tc
    1998
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    110mOhm
    雪崩 额定
    100V
    11A
    Single
    增强型MOSFET
    33W
    ISOLATED
    6.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    640pF @ 25V
    44nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    25 ns
    12A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    60A
    100V
    190 ns
    2.5kV
    4 V
    9.8mm
    4.826mm
    10.6172mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
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