我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IRLL2703TRPBF备选型号: IRLL3303TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 正向电压
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT22314 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON3.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1999e3不用于新设计1 (Unlimited)4EAR9960mOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED30VDUAL鸥翼2603.9A30R-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.1WDRAIN7.4 nsN-ChannelSWITCHING45m Ω @ 3.9A, 10V2.4V @ 250μA530pF @ 25V14nC @ 5V24ns±16V1V14 ns3.9A16V30V16A180 mJ1.4478mm6.6802mm3.7mm无ROHS3 Compliant含铅-------- MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT22310 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON4.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1999e3不用于新设计1 (Unlimited)4EAR9931mOhm-LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY30VDUAL鸥翼2604.6A30R-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.1WDRAIN7.2 nsN-ChannelSWITCHING31m Ω @ 4.6A, 10V1V @ 250μA840pF @ 25V50nC @ 10V22ns±16V-28 ns4.6A16V30V--1.8mm6.6802mm3.7mm无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTin1V6.5A30V98 ns1 V无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NDT451AN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 | 对比 |
 | ZXM62N03GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET 30V N-Chnl HDMOS | 对比 |
哦! 它是空的。