IRLM220ATF备选型号: BSP296L6433HTMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 已出版
  • 引脚数量
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    21 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    188mg
    SILICON
    1.13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    800m Ω @ 570mA, 5V
    430pF @ 25V
    15nC @ 5V
    24ns
    ±20V
    6 ns
    1.13A
    20V
    0.8Ohm
    200V
    9A
    29 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    -
    1.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    1.79W
    -
    5.2 ns
    N-Channel
    -
    700m Ω @ 1.1A, 10V
    364pF @ 25V
    17.2nC @ 10V
    7.9ns
    ±20V
    21.4 ns
    1.1A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SIPMOS®
    2002
    4
    1.8V @ 400μA
    100V
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