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IRLML2502GTRPBF备选型号: IRLML6402GTRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 制造商包装标识符
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度（Tj）
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-310 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON4.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3Discontinued1 (Unlimited)3EAR9945MOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.25W7.5 nsN-ChannelSWITCHING45m Ω @ 4.2A, 4.5V1.2V @ 250μA740pF @ 15V12nC @ 5V10ns±12V26 ns4.2A12V20V1.016mm3.0226mm1.397mm无ROHS3 Compliant无铅------ MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON3.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009e3Discontinued1 (Unlimited)3EAR9965MOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.3W350 nsP-ChannelSWITCHING65m Ω @ 3.7A, 4.5V1.2V @ 250μA633pF @ 10V12nC @ 5V48ns±12V381 ns-3.7A12V-20V1.12mm3.0226mm1.397mm无ROHS3 Compliant无铅IRLML6402GTRPBF120V22A150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3 | 对比 |
 | DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 | 对比 |
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 | 对比 |
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