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首页 全部分类 IRLMS2002TRPBF vs FDC637BNZ

IRLMS2002TRPBF备选型号: FDC637BNZ

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 质量
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  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRLMS2002TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    3
    SILICON
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    300mOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    20V
    DUAL
    鸥翼
    6.5A
    R-PDSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    22nC @ 5V
    11ns
    ±12V
    16 ns
    6.5A
    1.2V
    12V
    20V
    20A
    1.2 V
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC637BNZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    6.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    24MOhm
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    895pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    6ns
    ±12V
    6 ns
    6.2A
    800mV
    12V
    20V
    -
    800 mV
    1.1mm
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    36mg
    yes
    Tin (Sn)
    1
    150°C
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