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首页 全部分类 IRLMS5703TRPBF vs FDC6561AN

IRLMS5703TRPBF备选型号: FDC6561AN

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  • 栅源电压
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  • 电压
  • 电流
  • 功率 - 最大
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRLMS5703TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    2.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    180mOhm
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -2.3A
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.6A, 10V
    1V @ 250μA
    170pF @ 25V
    11nC @ 10V
    12ns
    30V
    ±20V
    8.4 ns
    -2.3A
    -1V
    20V
    2.4A
    -30V
    -30V
    -1 V
    1.4478mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6561AN
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    95mOhm
    -
    逻辑电平兼容
    30V
    -
    鸥翼
    2.5A
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    95m Ω @ 2.5A, 10V
    3V @ 250μA
    220pF @ 15V
    3.2nC @ 5V
    10ns
    -
    -
    10 ns
    2.5A
    -
    20V
    -
    30V
    30V
    1.8 V
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    yes
    960mW
    30V
    24A
    700mW
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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