ON Semiconductor FDC6561AN

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

95mOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

960mW

终端形式

鸥翼

额定电流

2.5A

电压

30V

元素配置

Dual

电流

24A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

960mW

接通延迟时间

6 ns

功率 - 最大

700mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

220pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.2nC @ 5V

上升时间

10ns

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.8 V

高度

1mm

长度

3mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅