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首页 全部分类 IRLR120ATF vs STD10NF10T4

IRLR120ATF备选型号: STD10NF10T4

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    IRLR120ATF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    8.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    35W
    N-Channel
    220m Ω @ 4.2A, 5V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    15nC @ 5V
    10ns
    ±20V
    9 ns
    8.4A
    2V
    20V
    100V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    STD10NF10T4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    13A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    50W
    N-Channel
    130m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    460pF @ 25V
    21nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    8 ns
    13A
    3V
    20V
    100V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    4.535924g
    SILICON
    STripFET™ II
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    130mOhm
    100V
    鸥翼
    260
    13A
    30
    STD10
    3
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16 ns
    SWITCHING
    52A
    100V
    70 mJ
    3 V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    无铅
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