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首页 全部分类 IRLR120ATF vs STD6NF10T4

IRLR120ATF备选型号: STD6NF10T4

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    IRLR120ATF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    8.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    35W
    N-Channel
    220m Ω @ 4.2A, 5V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    15nC @ 5V
    10ns
    ±20V
    9 ns
    8.4A
    2V
    20V
    100V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD6NF10T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    6A Tc
    -65°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    30W
    N-Channel
    250m Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    280pF @ 25V
    14nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    3 ns
    3A
    4V
    20V
    100V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    SILICON
    STripFET™
    e3
    2
    EAR99
    250mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    100V
    鸥翼
    260
    6A
    30
    STD6N
    3
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6 ns
    SWITCHING
    TO-252AA
    6A
    24A
    200 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    无铅
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