IRLR120ATF
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ON Semiconductor IRLR120ATF

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型号

IRLR120ATF

utmel 编号

1807-IRLR120ATF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK

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IRLR120ATF
IRLR120ATF ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK

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IRLR120ATF详情

ON Semiconductor IRLR120ATF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8.4A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W Ta 35W Tc

  • Turn Off Delay Time

    19 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1999

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    35W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    220m Ω @ 4.2A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    440pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 5V

  • 上升时间

    10ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    8.4A

  • 阈值电压

    2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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