IRLR6225PBF备选型号: NTD4854NT4G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V 100A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633100A Tc-50°C~150°C TJTubeHEXFET®2010Discontinued1 (Unlimited)EAR99Single63W9.7 nsN-Channel4m Ω @ 21A, 4.5V1.1V @ 50μA3770pF @ 10V72nC @ 4.5V37ns±12V52 ns100A800mV12V20V53 ns800 mV2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant-------------------
- MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63415.7A Ta 128A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2008Obsolete1 (Unlimited)EAR99Single2.5W-N-Channel3.6m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA4600pF @ 12V49.2nC @ 4.5V17.6ns±20V8.5 ns128A-20V25V-------符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)SILICONe3yes2Tin (Sn)鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHING15.7A225A338 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR3717PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 20V 120A DPAK | 对比 |
![]() | IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN | 对比 |
![]() | IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain | 对比 |




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