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IRLS3036TRRPBF备选型号: IRFS3206PBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 触点镀层
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 恢复时间
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle380W66 nsN-Channel2.4mOhm @ 165A, 10V2.5V @ 250μA11210pF @ 50V140nC @ 4.5V220ns60V±16V110 ns195A16V60V11.21nF2.4mOhm2.4 mΩ4.826mm10.668mm9.65mm符合RoHS标准--------- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2007Discontinued1 (Unlimited)--Single300mW19 nsN-Channel3m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6540pF @ 50V170nC @ 10V82ns-±20V83 ns210A20V60V---4.826mm10.67mm9.65mmROHS3 CompliantTinEAR9960V210A4V50 ns无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB029N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS3206PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS3006PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK | 对比 |
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