Infineon Technologies IRFS3206PBF
- 收藏
- 对比
IRFS3206PBF
1211-IRFS3206PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
--最小包装量--
IRFS3206PBF详情
Infineon Technologies IRFS3206PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
55 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
60V
额定电流
210A
元素配置
Single
功率耗散
300mW
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6540pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
170nC @ 10V
上升时间
82ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
83 ns
连续放电电流(ID)
210A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
恢复时间
50 ns
高度
4.826mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS3206PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。