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IRLS3813PBF备选型号: IRLS3813TRLPBF
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- 晶体管元件材料
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- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 引脚数
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK15 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3.949996gSILICON33 ns2014HEXFET®Tube-55°C~150°C TJDiscontinued1 (Unlimited)2EAR991.95Ohm鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN32 nsN-ChannelSWITCHING1.95m Ω @ 148A, 10V2.35V @ 150μA8020pF @ 25V83nC @ 4.5V202ns30V±20V102 ns160A20V850A30VROHS3 Compliant------ MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK12 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3.949996g-160A Tc2014HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-EAR99---1Single--32 nsN-Channel-1.95m Ω @ 148A, 10V2.35V @ 150μA8020pF @ 25V83nC @ 4.5V202ns30V±20V102 ns160A20V--ROHS3 Compliant3未说明未说明195W无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLS3813TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK | 对比 |
 | FDB8832-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| AUIRF1324S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK | 对比 |
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