Infineon Technologies IRLS3813PBF

工厂交货时间

15 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

33 ns

Power Dissipation (Max)

195W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

已出版

2014

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.95Ohm

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

32 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.95m Ω @ 148A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8020pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

83nC @ 4.5V

上升时间

202ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

102 ns

连续放电电流(ID)

160A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

850A

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant