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IRLS3813TRLPBF备选型号: IRLS3813PBF
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- 零件状态
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- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g160A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2014活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明1Single195W32 nsN-Channel1.95m Ω @ 148A, 10V2.35V @ 150μA8020pF @ 25V83nC @ 4.5V202ns30V±20V102 ns160A20VROHS3 Compliant无铅----------- MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK15 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3.949996g33 ns-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2014Discontinued1 (Unlimited)EAR99--1Single-32 nsN-Channel1.95m Ω @ 148A, 10V2.35V @ 150μA8020pF @ 25V83nC @ 4.5V202ns30V±20V102 ns160A20VROHS3 Compliant-SILICON21.95Ohm鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING850A30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLS3813PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK | 对比 |
 | FDB8832-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| AUIRF1324S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK | 对比 |
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