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首页 全部分类 IRLS4030-7PPBF vs FDB0300N1007L

IRLS4030-7PPBF备选型号: FDB0300N1007L

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  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IRLS4030-7PPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    表面贴装
    表面贴装
    7
    2.5V @ 250μA
    110 ns
    2009
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    3.9MOhm
    Single
    370W
    53 ns
    N-Channel
    3.9m Ω @ 110A, 10V
    11490pF @ 50V
    140nC @ 4.5V
    160ns
    ±16V
    87 ns
    190A
    2.5V
    16V
    100V
    100V
    2.5 V
    6.85mm
    10.3378mm
    4.3434mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB0300N1007L
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0300N1007L MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2.7 VNew
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    表面贴装
    表面贴装
    7
    4V @ 250μA
    3.8W Ta 250W Tc
    -
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    Single
    -
    -
    N-Channel
    3m Ω @ 26A, 10V
    8295pF @ 50V
    113nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    200A
    2.7V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    -
    16 Weeks
    1.312g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    100V
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