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IRLU014NPBF备选型号: FQU13N06LTU
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
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- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3I-PAK10A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)140mOhm175°C-55°C55V10ASingle28W6.5 nsN-Channel140mOhm @ 6A, 10V1V @ 250μA265pF @ 25V7.9nC @ 5V47ns55V±16V23 ns10A1V16V55V55V265pF210mOhm140 mΩ1 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC符合RoHS标准无铅--------------
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3-11A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®2001活跃1 (Unlimited)---60V11ASingle2.5W8 nsN-Channel115m Ω @ 5.5A, 10V2.5V @ 250μA350pF @ 25V6.4nC @ 5V90ns-±20V40 ns11A2.5V20V60V-----8.58mm6.6mm2.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)9 Weeks343.08mgSILICONyes3EAR991增强型MOSFETSWITCHING44A90 mJ150°C无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQU13N06LTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | 对比 |
 | IRFU9024NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK | 对比 |
 | STD12NF06L-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp | 对比 |
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