Infineon Technologies IRLU014NPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

供应商器件包装

I-PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

28W Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

140mOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

55V

额定电流

10A

元素配置

Single

功率耗散

28W

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

140mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

265pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.9nC @ 5V

上升时间

47ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

输入电容

265pF

漏源电阻

210mOhm

最大rds

140 mΩ

栅源电压

1 V

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅