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IRLU024ZPBF备选型号: IRFU024NPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源电阻
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRLU024ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    I-PAK
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    58MOhm
    175°C
    -55°C
    55V
    16A
    Single
    35mW
    8.2 ns
    N-Channel
    58mOhm @ 9.6A, 10V
    3V @ 250μA
    380pF @ 25V
    9.9nC @ 5V
    43ns
    55V
    ±16V
    16 ns
    16A
    16V
    55V
    55V
    380pF
    58mOhm
    58 mΩ
    3 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFU024NPBF
    Infineon Technologies
    In a Tube of 75, IRFU024NPBF N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V HEXFET, 3-Pin IPAK Infineon
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    通孔
    75mOhm
    -
    -
    55V
    17A
    Single
    38W
    4.9 ns
    N-Channel
    75m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    370pF @ 25V
    20nC @ 10V
    34ns
    -
    ±20V
    27 ns
    17A
    20V
    55V
    55V
    -
    -
    -
    4 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    260
    30
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    4V
    68A
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