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IRLU2703PBF备选型号: NTD23N03R-1G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK13 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON23A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR9945mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier雪崩 额定30VSINGLE26023A30SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET38WDRAIN8.5 nsN-ChannelSWITCHING45m Ω @ 14A, 10V1V @ 250μA450pF @ 25V15nC @ 4.5V140ns±16V20 ns23A1V16V30V96A30V77 mJ1 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--------
MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA4SILICON3.8A Ta 17.1A Tc-55°C~150°C TJTube-2007e3Obsolete1 (Unlimited)3--Tin (Sn)-25V-26023A未说明-增强型MOSFET16.4WDRAIN-N-ChannelSWITCHING45m Ω @ 6A, 10V2V @ 250μA225pF @ 20V3.76nC @ 4.5V14.9ns±20V2 ns17.1A-20V25V---------符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)yes4R-PSIP-T3不合格Single3.8A0.06Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD17NF03L-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET, N CH, 30V, 17A, IPAK | 对比 |
| NTD23N03R-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK | 对比 |
| NTD23N03R-001 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK | 对比 |
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