STMicroelectronics STD17NF03L-1
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STD17NF03L-1
2381-STD17NF03L-1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET, N CH, 30V, 17A, IPAK
--最小包装量--
STD17NF03L-1详情
STMicroelectronics STD17NF03L-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
30W Tc
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD17
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
30W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 8.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
320pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.5nC @ 5V
上升时间
100ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
17A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏极-源极导通最大电阻
0.06Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
68A
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
最大结点温度(Tj)
175°C
栅源电压
1.5 V
高度
8.4mm
长度
6.6mm
宽度
2.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STD17NF03L-1拓展信息
STMicroelectronics
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