IRLU2905PBF备选型号: IRLIZ44NPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 资历状况
- 元素配置
- Vgs(最大值)
- JEDEC-95代码
- 恢复时间
- 隔离电压
- INFINEON IRLU2905PBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 V13 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA342A TcTubeHEXFET®2004e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR9927mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier175°C-55°C雪崩 额定55V110WSINGLE26042A30SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET110WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 25A, 10V2V @ 250μA1700pF @ 25V48nC @ 5V84ns15 ns42A2V16V20A55V55V2 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP14 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack330A TcTubeHEXFET®2004-不用于新设计1 (Unlimited)3EAR9925mOhm---AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE55V--未说明30A未说明-增强型MOSFET38WISOLATED11 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 17A, 10V2V @ 250μA1700pF @ 25V48nC @ 5V84ns15 ns30A2V16V28A55V55V2 V9.8mm10.6172mm4.826mm无SVHC-ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeSILICON-55°C~175°C TJ不合格Single±16VTO-220AB120 ns2kV
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP50N06L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail | 对比 | |
![]() | IRLIZ44NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP | 对比 |
![]() | AUIRFZ44Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB | 对比 |





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