Infineon Technologies IRLU2905PBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

26 ns

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

27mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

55V

最大功率耗散

110W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

42A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 5V

上升时间

84ns

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

42A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

栅源电压

2 V

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅