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首页 全部分类 IRLU2905PBF vs IRLZ44NPBF

IRLU2905PBF备选型号: IRLZ44NPBF

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 螺纹距离
  • 通道数量
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRLU2905PBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRLU2905PBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 V
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    42A Tc
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    27mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    175°C
    -55°C
    雪崩 额定
    55V
    110W
    SINGLE
    260
    42A
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    48nC @ 5V
    84ns
    15 ns
    42A
    2V
    16V
    20A
    55V
    55V
    2 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLZ44NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    47A Tc
    Tube
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    22mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    雪崩 额定
    55V
    -
    -
    -
    47A
    -
    -
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    48nC @ 5V
    84ns
    15 ns
    47A
    2V
    16V
    -
    55V
    55V
    2 V
    19.8mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    2.54mm
    1
    Single
    ±16V
    TO-220AB
    120 ns
    175°C
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