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首页 全部分类 IRLU3715ZPBF vs FDU8580

IRLU3715ZPBF备选型号: FDU8580

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    IRLU3715ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    49A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    20V
    49A
    40W
    7.8 ns
    N-Channel
    11m Ω @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    810pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    4.3 ns
    49A
    2.1V
    20V
    20V
    20V
    17 ns
    2.1 V
    6.1mm
    6.6mm
    2.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FDU8580
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    20V
    35A
    49.5W
    -
    N-Channel
    9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1445pF @ 10V
    27nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    34 ns
    35A
    1.8V
    20V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Single
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